CQ 音频与功率芯片 / SEMICONDUCTOR

CQTP52N20T

200 V N 沟道功率 MOSFET

200 V、52 A N 沟道功率 MOSFET，数据手册标称 38 mΩ 典型导通电阻。

价格、库存与交期以正式报价为准

TECHNICAL DATA

绝对最大额定值不等于推荐工作条件，设计时请核对完整数据手册。

额定值漏源电压 VDS: 200 V
额定值连续漏极电流 ID: 52 A（绝对最大额定值表，TC = 25°C）
额定值脉冲漏极电流 IDM: 220 A
导通RDS(on): 38 mΩ 典型 / 41 mΩ 最大；VGS = 10 V，ID = 25 A
控制栅源阈值 VGS(th): 2–4 V；VDS = VGS，ID = 250 μA
额定值栅源电压 VGSS: ±20 V（绝对最大额定值）
动态总栅极电荷 Qg: 91 nC 典型 / 156 nC 最大；VDD = 160 V，ID = 50 A，VGS = 0–10 V
动态输入 / 输出 / 反向传输电容: Ciss 4510 / Coss 567 / Crss 290 pF（典型；VGS = 0 V，VDS = 25 V，1 MHz）
热与功率热阻: 结到壳 0.5°C/W；结到环境 62.5°C/W（手册第 1 页）
热与功率最大功耗: 250 W
可靠性单脉冲雪崩能量: 1700 mJ
封装封装形式: TO-220
环境结温 / 储存温度: -55°C 至 +150°C

DATASHEET

芯片资料只提供英文原始数据手册。

英文数据手册

数据手册 PDFCQTP52N20 Datasheet

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APPLICATION GUIDE

CQTP52N20T 为 TO-220 封装的 200 V N 沟道功率 MOSFET，额定值表列出 52 A 连续漏极电流、38 mΩ 典型导通电阻和 250 W 最大功耗。设计时请按完整数据手册核对测试条件及安全工作区。

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