功率半导体

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CQTP52N20T 英文数据手册首页

芯片

CQTP52N20T

200 V、52 A N 沟道功率 MOSFET，数据手册标称 38 mΩ 典型导通电阻。

漏源电压 VDS：200 V
连续漏极电流 ID：52 A（绝对最大额定值表，TC = 25°C）
脉冲漏极电流 IDM：220 A